作者 buteo (找尋人與人的鍵結)標題 [情報] X3D的設計考量剖析時間 Thu Nov 7 01:02:07 2024
https://www.youtube.com/watch?v=4pGDEYApniU
很詳盡的X3D設計考量,從各個方向切入
1. 把運算單元放下面 (第一代X3D)
2. 把運算單元放上面 (第二代X3D)
Power: 1消耗能量較少,1勝
Latency: 1的延遲比較低,1勝
Stacking: 1的堆疊難度比較低,1勝
Complexity: 1的設計複雜度比較低,1勝
Packaging: 1的封裝難度比較低,1勝
Thermal: 2的散熱比較好,2勝
2和1相比,一勝五負
但散熱大過所有一切,所以AMD第二代改把運算單元放在上面
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※ 作者: buteo 2024-11-07 01:02:07
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推 fatedate: 測出來結果是2的方案大勝...雖然又貴了點QQ1F 118.232.72.45 台灣 11/07 01:08
推 mtc5566: 1消耗能量較少是因為散熱差頻率跑不上去 懂?3F 118.231.160.253 台灣 11/07 01:08
推 coox: 1是因為會積熱所以把時脈壓低 這能算勝嗎?5F 114.27.86.144 台灣 11/07 01:10
推 BaWanYi: 媽呀,有個水桶的水花四濺,還夾雜著疑似是好香好香的聲音6F 59.126.30.74 台灣 11/07 01:12
推 coox: 1是遊戲專用 2不只遊戲 連工作也可以兼顧了8F 114.27.86.144 台灣 11/07 01:12
→ harry886901: 延遲說甚麼的延遲也沒說清楚9F 49.216.28.236 台灣 11/07 01:17
→ aegis43210: 可能指bump間延遲及時序吧10F 106.104.71.103 台灣 11/07 01:47
→ jay920314: 沒看影片 結論1看著的確是結果論 如果不是熱散不出去也不用訂那麼低TDP11F 1.200.34.247 台灣 11/07 02:51
推 b325019: 前代功耗低是因為積熱不能高頻你倒因為果13F 1.34.10.185 台灣 11/07 03:00
→ higali: 第一點有問題,其他沒問題14F 111.81.227.194 台灣 11/07 03:21
推 ltytw: 其實是第6點牽制了所有跟功耗相關的因素
抱歉搞錯15F 114.33.46.227 台灣 11/07 07:15
→ stosto: 3/4/5是AMD跟台積的問題,1/2比6就好了
不過因為是soic, 我認為延遲影響有限,到幾乎不影響17F 59.120.188.194 台灣 11/07 08:59
推 jansan: 第一點有問題 這樣說不對20F 114.136.27.113 台灣 11/07 09:24
→ friedpig: 1/2如果指針對傳輸來說是一起出現的沒錯啊 因為封裝的位置導致每次都得多走一小段 物理上就是比較慢跟多耗一點功 不過應該真的是幾乎沒差21F 42.70.74.54 台灣 11/07 09:36
→ AmibaGelos: 定壓定頻下高溫功耗也會高 1代就贏在能先量產 沒這根稻草i皇保住遊戲hpc基本盤現在就不會這麼慘25F 23.108.99.122 新加坡 11/07 10:47
推 sapperkyle: 我有疑問: 為什麼不把 IC 放在正中間?而是類似兩個眼睛一個嘴巴的擺位?^ ^?若說製程略有差異, 成本不會差太多吧?怎麼不通通摻在一起作成撒尿爆漿魚丸?28F 39.15.17.96 台灣 11/07 11:19
推 b325019: 因為基板設計上可以容納最多2ccd1iod所以一定會偏32F 223.136.208.194 台灣 11/07 11:23
→ sapperkyle: 2ccd + 1 io die 融合成一片, 不香嗎?34F 39.15.17.96 台灣 11/07 11:24
→ b325019: 人家蘇媽就模組化設計最大化成本效益還跟你做成一片w35F 223.136.208.194 台灣 11/07 11:27
推 sapperkyle: 油管影片實測頂蓋打薄, 溫度降好幾度~原廠設計厚度依據為何? 安全因素多少?這兩點如果能克服, 相信溫度會更低溫~37F 39.15.17.96 台灣 11/07 11:30
→ AreLies: 9000系列CCD有稍微大顆一點
其實溫度好看很多40F 223.139.234.217 台灣 11/07 11:54
→ friedpig: 現在還是mcm受PCB 走線限制比較大 下一代要是真的改2.5d或許真的有機會調位子42F 42.70.74.54 台灣 11/07 12:02
推 kaj1983: 延遲低?垂直距離一樣不是?44F 218.166.27.112 台灣 11/07 12:07
→ AlvisBarhara: 當初是為了散熱器能相容zen3前老u,才把頂蓋做那麼厚45F 39.10.24.64 台灣 11/07 12:58
推 stosto: Amd目前規劃未來3dic應該是主力才對,我看到產能規劃是今年翻倍47F 59.120.188.194 台灣 11/07 13:24
推 mayolane: 把IOD跟CCD作一起是要怎麼不同產品共用CCD
難道要學Ultra 200S做chiplet然後所有產品都不共用compute tile嗎49F 223.137.46.234 台灣 11/07 13:24
推 horb: 結果論來看。散熱是一切53F 114.137.128.190 台灣 11/07 13:35
→ LiNcUtT: 改2.5D,再把ccd.iod形狀變一下就能鬥一起了吧,頂多像i那樣單ccd產品用空矽片補洞DT產品都有頂蓋,感覺洞不補也不是不行54F 114.32.199.111 台灣 11/07 13:39
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