在人工智慧（AI）需求爆發帶動下，全球記憶體供應緊張情勢升溫，美光科技正加速擴張產能，試圖避免產業陷入逾40年來最嚴重的供應短缺。據《華爾街日報》報導，美光正於總部所在地愛達荷州Boise投入500億美元，將現有園區面積擴大逾一倍並興建兩座新晶圓廠，首座預計於2027年中量產DRAM，兩廠目標在2028年底全面投產。此外，公司亦在紐約州雪城附近打造總值1000億美元的晶圓廠園區，創下當地史上最大私人投資紀錄；海外方面，美光去年底宣布於日本廣島投資96億美元設廠。

AI浪潮也帶動全球半導體大廠同步擴產。競爭對手SK海力士今年1月宣布將於韓國興建130億美元晶圓廠，並在美國印第安納州建造40億美元製造園區，顯示記憶體競賽全面升溫。

負責美光美國2000億美元擴產計畫的副總裁Scott Gatzemeier指出，AI從訓練邁向推論階段後，資料量呈爆炸性成長，對潔淨室產能造成巨大壓力，「28年來未見如此顛覆性需求」。

隨科技巨頭加碼AI基礎設施建設，DRAM與HBM需求全面超越供應並推升價格。市場預估2026年產業資本支出將達6500億美元，其中亞馬遜、Google與Meta投入規模分別高達2000億、1850億與1350億美元。

受惠需求強勁，美光預估本季毛利率可達68%，逼近AI晶片龍頭產品水準。財務長Mark Murphy表示，目前公司對部分關鍵客戶僅能滿足約一半至三分之二需求，愈來愈多客戶尋求多年期合約以確保供應，反映市場缺貨壓力仍大。

市場數據也印證短缺持續擴散。資料中心硬體經銷商Circular Technology指出，自去年9月以來DDR5價格已飆升近500%，顯示缺貨已從HBM擴散至整體記憶體市場，預估供需緊張將延續至2026年底甚至2027年上半年。

針對先前外界傳出未打入輝達下一代HBM4供應鏈的說法，美光澄清報導不實，並表示HBM4已開始出貨且下季將進一步放量，同時強調HBM4與HBM3e產能已售罄至年底，顯示AI記憶體需求仍處於供不應求階段。