---

-------------------------------發文提醒----------------------------------
1.發文前請先詳閱[新聞]分類發文規範，未依規範發文將受處份。
2.連結過長請善用縮網址服務，連結不能點擊者板規1-2-2處份。
3.心得/評論請盡量充實，心得過短或濫竽充數將以板規 1-2-3、4-4 水桶處份。
4.發文請依照格式文章標明段落，不符合格式者依4-1刪文處分。
------------------------ 按ctrl+y 可刪除以上內容。 ----------------------

原文標題：

※請勿刪減原文標題
涉向中國外洩DRAM晶片技術 前三星電子工程師被捕


原文連結：

※網址超過一行過長請用縮網址工具

https://www.cna.com.tw/news/aopl/202412030425.aspx
發布時間：
2024/12/3 22:21

※請以原文網頁/報紙之發布時間為準

記者署名：
中央社首爾3日綜合外電報導

※原文無記載者得留空

原文內容：
韓國警方今天表示，1名前三星電子工程師因涉嫌挖角三星的半導體核心技術人才，加上向
中國成都高真科技（CHJS）洩漏20奈米DRAM記憶體晶片技術，遭逮捕並移送檢方。

韓聯社報導，首爾警察廳產業技術安全偵查隊今天指出，64歲前三星電子（Samsung Electr
onics）工程師因涉嫌違反「職業安定法」被捕，並移送首爾中央地方檢察廳。



這座DRAM工廠從完工到投產僅費時1年3個月。一般來說，晶圓從測試到量產通常需要4至5年
。

韓國警方提到，外流技術的經濟價值高達4兆3000億韓元（約新台幣998億元），若考慮相關
經濟效益，實際損失規模更加龐大。

除了這名前工程師，還有以相同手法挖角韓國半導體人才的2位獵頭公司代表及法人被移送
法辦。據悉獵頭公司已替成都高真挖角逾30名技術人員。

儘管韓國國家關鍵技術外流，警方只能根據刑責較輕的「職業安定法」、而非「產業技術保
護法」來逮捕涉案嫌犯。

警方解釋，根據現行法規，以「挖角」方式外流技術的行為不屬於「產業技術保護法」規定
的懲處範圍，因此有必要針對相關法律進行修法，以嚴懲商業間諜。

報導指，包括前三星電子工程師在內，成都高真技術外洩案共有21人遭移送法辦。





心得/評論：



2個多小時就解嚴了，但股價回不去了。

美光倒是得利，股價紅盤。

https://i.imgur.com/Dy01gT1.jpeg




--
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.248.151.10 (臺灣)
※ 作者: forb9823018 2024-12-04 00:58:12
※ 文章代碼(AID): #1dJpYcGX (Stock)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1733245094.A.421.html