晶圓代工廠聯電（2303）與專精MRAM技術的創新公司Avalanche Technology 於今（13）日
宣布推出高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體 （ P-SRAM），此第三代產品採聯電的22奈
米製程生產，為Avalanche Technology最新一代自旋轉移矩磁性記憶體 （STT-MRAM） 技術
，相較於現有的非揮發性解決方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的優勢。

Avalanche Technology行銷與商務發展副總經理 Danny Sabour表示，此次新產品的推出，
真正實現市場對高耐用性、高可靠性和高密度的各項應用需求，且無需外部電池、錯誤修正
代碼 （ECC） 或耗損平均技術。由於現今無所不在的感測裝置及日益升高的資料處理需求
推升對耐磨損、高持久性記憶體的需要，公司將很快啟動進一步提高16Gb 單晶片解決方案
的開發工作。

聯電前瞻發展辦公室暨研發副總經理洪圭鈞表示，很高興與技術領導廠商Avalanche Techno
logy合作，將此獨立的記憶體解決方案投入生產，這是一個重要的里程碑，有助於將堅實且
高度可擴展的MRAM解決方案商業化。聯電憑藉著多元的晶圓專工技術和卓越的製造能力，並
透過此次與 Avalanche Technology 的合作，將滿足市場對持久性記憶體不斷提升的需求。

Avalanche Technology首席技術長兼技術與晶圓專工業務副總經理懷一鳴表示，自2006 年
起，Avalanche Technology 持續專注於開發創新垂直式磁穿隧接面 （perpendicular Magn
etic Tunnel Junction, pMTJ） 結構的 STT-MRAM 技術。以領先業界的 pMTJ 和 CMOS 設
計為基礎，透過合作夥伴聯電，讓最先進的高密度和高性能STT-MRAM 產品得以問世。

此產品為Avalanche第三代P-SRAM，Parallel x 32 系列作為標準產品提供各種密度選項，
並具有非同步SRAM兼容讀/寫時序。其數據始終是非揮發性的，並具備領先業界的 >1014 次
寫入周期耐久性和1000 年保存期 （在 85° C 下）。兩種密度選項均採用小尺寸142-ball
FBGA（15mm x 17mm）封裝。這些裝置都經由 JEDEC 認證流程確保寬廣的 （-40° C 至125
° C） 工作溫度範圍，每項裝置在交付給客戶前並都經過 48 小時的老化測試。其他額外認
證選項亦提供給合作夥伴選擇。

Avalanche Technology公司是次世代垂直式自旋磁性記憶體技術（STT-MRAM）的領導廠商，
被公認為在未來單晶片（SOC）系統中取代傳統快閃記憶體（Flash）和靜態隨機存取記憶體
（SRAM）以實現統一內存架構的領先者，可在55、40、28與22奈米製程下實現，並可擴展至
14奈米及更先進製程。憑藉在多個幾何節點上經過驗證的 STT-MRAM 產品以及超過300 項專
利和應用的組合，Avalanche Technology 正實現下一代可擴展統一內存架構以應用於工業
、物聯網、航太和儲存應用，成為真正的「次世代MRAM 企業」。

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