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※ 引述《madeinheaven ()》之銘言：
: 2年後追上台積電 三星計畫2022年量產3nm：首發GAA工藝
: https://news.mydrivers.com/1/724/724559.htm
: 但三星追趕台積電的關鍵是在下一代的3nm上，因為這一代工藝上三星押注了GAA環繞柵極
: 晶體管，是全球第一家導入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而台積電比較保守，3nm還是用
: FinFET，2nm上才會使用GAA工藝。
: 最新消息稱，三星半導體業務部門的高管日前透露說，三星計畫在2022年量產3nm工藝，
: 而台積電的計畫是2022年下半年量產3nm工藝，如此一來三星兩年後就要趕超台積電了。
: 值得一提的是，台積電也似乎感受到了三星的壓力，原本計畫2024年才推出2nm工藝，現
: 在研發順利，2023年下半年就準確試產了。

https://tinyurl.com/y5a5q37h
上面連結是三星2019技術論壇宣布3nm用GAA的內容
往下拉可以看到密度:"Area -45% compare to 7nm"

1/(100%-45%)=1.82
代表3nm GAA密度是7nm的1.82倍
三星7LPE密度是95.3MTr/mm2
所以3nm GAA密度是95.3*1.82=173MTr/mm2

恩...這個密度就是台積今年做的5nm阿 = =
是說三星還硬要切出6/5/4奈米 這配合老黃刀工也是剛好

GG到3nm製程的290MTr/mm2都用Finfet就搞定了
GG path finding早就玩過一堆GAA 只是線路沒那麼細沒好處

另外關於進度:
"Samsung expects its 3GAE process to offer first customer tapeouts in 2020,
with risk production in late 2020 and volume manufacturing in late 2021."

阿原本不是說現在就要risk production嗎? 怎麼要龜那麼久呢~~

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