※ 本文為 MindOcean 轉寄自 ptt.cc 更新時間: 2020-04-13 08:14:05
看板 Gossiping
作者 標題 Re: [爆卦] 支那芯實現逆向超車,繞過ASML光刻技術
時間 Fri Apr 10 11:32:12 2020
中芯國際今年出產7nm?
https://www.eettaiwan.com/20200318NT51-smic-gearing-up-for-7nm/
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關於N+1,如果比較14nm和N+1,N+1性能提高了20%,功耗降低了57%,邏輯面積降低了63%
,SOC面積降低了55%。因此與市場上的7nm相比,實際上在功率和穩定性方面非常相似,
唯一的區別是性能,N+1的性能提高了約20%,但就市場基準而言,大概是35%。這是唯一
的差距。
,SOC面積降低了55%。因此與市場上的7nm相比,實際上在功率和穩定性方面非常相似,
唯一的區別是性能,N+1的性能提高了約20%,但就市場基準而言,大概是35%。這是唯一
的差距。
因此,就功率和穩定性而言,可將其稱為7nm,而在性能方面確實要比7nm差。N+1的目標
是低成本的應用,可以將成本相對7nm減少10%左右。因此,這是一個非常特殊的應用。
是低成本的應用,可以將成本相對7nm減少10%左右。因此,這是一個非常特殊的應用。
根據以上說明,「N+1」是中芯國際的官方代號,中芯國際並沒有說它是7nm節點。部分網
傳可能是曲解了梁孟松在最近財政年度報告會議的內容。
也有專業人士分析,從參數上來看,這個N+1實際上就是台積電(TSMC)和三星(Samsung)的
10nm節點,因為它只提升了20%的性能,遠低於台積電計畫的30%和實際的35%——業界現
在以35%為市場基準。這麼低的性能提升顯然不能被稱為7nm,它更像三星的第二代10nm和
第三代10nm (就是8nm)。
10nm節點,因為它只提升了20%的性能,遠低於台積電計畫的30%和實際的35%——業界現
在以35%為市場基準。這麼低的性能提升顯然不能被稱為7nm,它更像三星的第二代10nm和
第三代10nm (就是8nm)。
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※ 同主題文章:
04-10 11:23 ■ [爆卦] 支那芯實現逆向超車,繞過ASML光刻技術
● 04-10 11:32 ■ Re: [爆卦] 支那芯實現逆向超車,繞過ASML光刻技術
04-10 12:18 ■ Re: [爆卦] 支那芯實現逆向超車,繞過ASML光刻技術
→ : 呵呵 看看就好 上個說自製晶片的 結果是買美國晶片1F 04/10 11:33
推 : 中國跟台灣差距最大的科技基本上就是晶圓代工,要贏2F 04/10 11:34
→ : 再說吧,應該連自產自銷都很難了
→ : 再說吧,應該連自產自銷都很難了
→ : 那 美國阿爸可以要求GG接華為單了 GG南京場要有放棄的打算4F 04/10 11:35
→ : 中間還有一段"目前正處於客戶產品驗證階段,預計第四季5F 04/10 11:37
→ : 度會產生有限產量"一切都是預計就說台GG急了XD
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推 : 比7nm效能好,然後比7nm性能差……這樣有用嗎?7F 04/10 11:38
→ : nm也不是絕對8F 04/10 11:39
→ : GG也有不用EUV的7nm,效能當然比EUV的差多了
→ : GG也有不用EUV的7nm,效能當然比EUV的差多了
推 : 怎麼可能繞的過 這很需要技術累積的10F 04/10 11:40
推 : 不對…一邊說性能提高20,一邊說性能低20,這在說什麼?11F 04/10 11:40
→ : 假設中芯真的量產了不用EUV的7nm,大概就是追上2018年12F 04/10 11:41
→ : 的GG
→ : 的GG
→ : 沒事,目洨了14F 04/10 11:41
推 : 重點在良率...15F 04/10 11:42
→ : 支那目前有機會追上台灣的是封測產業,大概4年差距
→ : 支那目前有機會追上台灣的是封測產業,大概4年差距
推 : IBM/GF陣營是一直去修改他們的14nm 把cache堆高17F 04/10 11:47
推 : 中國芯是沒有誠實這個成份的,就是個0.5套。只能吹18F 04/10 11:56
→ : ,不能上。可憐哪
→ : ,不能上。可憐哪
推 : 跟以前一樣 買來把LOGO塗掉嗎20F 04/10 12:06
推 :21F 04/10 12:23
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