※ 本文為 MindOcean 轉寄自 ptt.cc 更新時間: 2013-06-10 12:05:42
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作者 標題 Re: [情報] 14nm進展不順 Intel下一代Broadwell跳票
時間 Mon Jun 3 18:36:38 2013
分享一下小弟的淺見
下一代 14nm 所用的曝光系統和之前完全不同
目前都是使用 193nm ArF 光源 搭配浸潤式微影 (immersion lithography)
解析度極限大約是 193*0.25/1.44=33.5nm (0.25=k1 1.44=NA 這邊物理就不細講了)
要做這個尺寸以下 需要使用雙圖樣微影技術 (double patterning lithography)
簡單來說 就是做一格圖案分兩次曝光
詳細請看 http://en.wikipedia.org/wiki/Multiple_patterning
Multiple patterning - Wikipedia, the free encyclopedia
Dual-tone photoresists have been developed years ago, allowing the printing of two lines in a single exposure imaging of a single line. Early demonstrations relied on crosslinking of the highest dose regions, rendering them insoluble in developer, while the lowest dose regions were normally insolubl ...
Dual-tone photoresists have been developed years ago, allowing the printing of two lines in a single exposure imaging of a single line. Early demonstrations relied on crosslinking of the highest dose regions, rendering them insoluble in developer, while the lowest dose regions were normally insolubl ...
(文中提到 Intel 65nm 之後其實已經開始用此技術 如果要做到 15nm可能需要分三次)
但分n次曝光=做同樣量的晶圓需要 n倍時間 or n倍數量的機台
曝光機是FAB中最貴的機台 (一台約數千萬美金)
---------------------下面開始是重點---------------------
以上的問題各公司都知道 於是約 10年前曝光機的龍頭廠商 ASML 開始發展EUV
EUV 全名 Extreme ultraviolet lithography (極紫外光) 目前使用 13.5nm波長
產生方法是用高功率 CO2 laser去 轟擊錫粒 (詳細機制可能有點複雜)
其實它的波長已經可以算是 X-ray
但因為之前有人研究使用 hard X-ray(波長更短) 曝光結果最後失敗 (原因麻煩補充)
不想用類似的名稱所以選擇 EUV
拉回來 EUV使用13.5nm波長的光 是193nm 的1/14 解析度 CD=λ*k1/NA
雖然NA、k1沒有193nm好 但波長短很多 所以解析度還是可以好很多
目前 EUV的曝光機台只有預量產型 (NXE:3100)
問題出在光源功率 (出光亮)不夠 所以曝光時間會被拉長 (簡單來說就是產量不夠)
所以還不合乎生產成本 (曝光機很貴!)
現在還在研究如何讓功率更高 (約需要提升10倍) 以達到需求
附上一些相關的文章和reference:
ASML: EUVL into production with ASML’s NXE platform
http://tinyurl.com/ktysqh7
Wikipedia: Extreme ultraviolet lithography
http://tinyurl.com/yln53s4
Extreme ultraviolet lithography - Wikipedia, the free encyclopedia
Extreme ultraviolet lithography (also known as EUV or EUVL) is a next-generation lithography technology using an extreme ultraviolet (EUV) wavelength, currently expected to be 13.5 nm. ...
Extreme ultraviolet lithography (also known as EUV or EUVL) is a next-generation lithography technology using an extreme ultraviolet (EUV) wavelength, currently expected to be 13.5 nm. ...
imec: Lithography options for the 31nm half pitch node
http://tinyurl.com/kms6ysn
ASML: EUV lithography: today and tomorrow
http://tinyurl.com/mpv5kz7
ASML: EUV lithography into production at chipmakers
~update on ASML's NXE platform~
http://tinyurl.com/n2qwpnt
Wikipedia: Next-generation lithography
http://tinyurl.com/kj5phes
Next-generation lithography - Wikipedia, the free encyclopedia
While only high-index immersion (which strictly is more a proposed extension of photolithography than an NGL) does not immediately face prohibitive issues, future developments may uncover severe enough problems to prohibit their use. The complexities of next-generation lithography development have a ...
While only high-index immersion (which strictly is more a proposed extension of photolithography than an NGL) does not immediately face prohibitive issues, future developments may uncover severe enough problems to prohibit their use. The complexities of next-generation lithography development have a ...
結論:
Intel下個世代可能想用 EUV 但目前技術還不夠成熟
而 multiple pattering 成本過高 (定位相同的 CPU 價格1.5倍你想買?)
補充:
推文提到TSMC 其實全世界最高階的製程瓶頸都在這邊
Intel TSMC samsung 都有投資 ASML (股票分布 15% 5% 3%)
所以台積電也沒什麼好超越的 我猜曝光機 Intel還是會搶到最多
(文中提到的NXE:3100 今年只出貨11台XD)
感謝看完 歡迎來信討論~
(小弟只是對半導體有興趣的大學生 )
麻煩前輩糾正&補充
※ 引述《f91jacky (愛撫久)》之銘言:
: 14nm進展不順 Intel下一代Broadwell跳票2015
: 多年來Intel一直按照其Tick-Tock的步伐穩步前進,今年是Intel的“Tock年”,剛剛發
: 布的Haswell處理器在製造工藝不變(和Ivy Bridge同為22nm)的前提下將架構升級。而
: 按照這個策略來看的話,Intel的Broadwell處理器將會於明年發布,架構不變,但將製造
: 工藝升級至14nm,其發布時間應該是明年二季度。
: 遺憾的是VR-Zone在今天爆料稱明年我們看不到Broadwell處理器了,能等到的只有升級版
: 的Haswell,Broadwell處理器要等到2015年才能出現。至於跳票的原因,有分析稱是
: Intel的14nm工藝進展不太順利,到明年根本無法滿足量產的需求,當然這只是猜測,具
: 體原因應該只有Intel自己才知道了。
: 筆者認為Intel放慢增長的步伐跟AMD也是有一定關係的,畢竟其推土機和打樁機都對
: Intel現有的處理器無法造成任何威脅,這讓Intel推陳出新的動力越來越小,而且消費者
: 也並不一定認可這種頻繁的升級策略。
: 下面我們來說說明年的升級版Haswell,雖然Broadwell跳票了,但其配套的9系晶片組將
: 會在明年和升級版Haswell共同推出。升級版的Haswell處理器在架構方面不會有什麼變化
: ,但是頻率必然會有所提升。
: 9系晶片組方面目前曝光的訊息還不多,可以確定的是它在8系晶片組的基礎上會增加
: SATA Express界面的支援,磁片速度達到了1GB/s,另外還會支援更大容量的存儲設備以
: 及硬體底層防毒。
: 至於升級版Haswell處理器的發布時間有可能會在明年的第二季度早期,但這只是猜測。
: from: http://news.mydrivers.com/1/265/265359.htm
14nm进展不顺 Intel下一代Broadwell跳票2015-Broadwell,处理器,跳票,-驱动之家 14nm进展不顺 Intel下一代Broadwell跳票2015 ...
: Broadwell要等兩年嗎?!
: INTEL: 多讓你一年,你能追多少呢! (菸)
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.109.55.232
推 :有點猛1F 06/03 18:40
推 :先別刪 我去叫我媽來看外星科技文章...2F 06/03 18:42
我第一次聽到也覺得很誇張...推 : 我去問問地下室的密卡登怎麼解決3F 06/03 18:44
推 :埃格斯特朗表示:4F 06/03 18:44
→ :TSMC 20nm比Intel 14nm先出來 的確是有可能的 某方面5F 06/03 18:52
→ :而言 的確是超車
→ :而言 的確是超車
→ :猛7F 06/03 18:52
→ :略懂8F 06/03 18:56
推 :聽說推了文就可以看懂1/4。9F 06/03 19:00
推 : 先推再說10F 06/03 19:00
推 :徵求懂外星語的翻譯11F 06/03 19:05
推 :AMD桌上型處理器若給TSMC代工 應該很快就追上了12F 06/03 19:09
→ :GG 20nm 沒有finfet......13F 06/03 19:15
推 :推14F 06/03 19:17
推 :推15F 06/03 19:29
→ :略懂略懂16F 06/03 19:30
推 :如果沒推別人以為我看不懂17F 06/03 19:31
推 :原PO的ID是很威的儀器 在109的GRC?18F 06/03 19:45
完全猜中!! mo大也在做相關領域?→ :打算要跨行!!19F 06/03 19:53
推 :話說 109不只一台 我以前的實驗室是在112校園那台20F 06/03 19:54
所以mo大以前是在IAMS?推 :嘿嘿 就是在地下室啊 不過沒有真正玩過啦21F 06/03 19:57
地下室?? (不懂??)推 :EUV1小時5片...Throughput以外要解決的問題還跟山一22F 06/03 20:05
→ :樣多。光罩 光阻 光源 機台安定性 價格...
感謝AX大補充 以上每樣都是另一個故事了XD→ :樣多。光罩 光阻 光源 機台安定性 價格...
※ 編輯: FTICR 來自: 140.109.55.232 (06/03 20:18)
推 :好猛...看完才懂一點24F 06/03 20:22
推 :跟我想的一樣25F 06/03 20:30
推 :你說的hard X-ray是之前IBM在搞得 但現在已宣布失敗26F 06/03 20:35
→ :未來可能還有一些其他路 EX:nanoprint
→ :用e-beam先去寫一塊及高解析度板 之後直接大量印製
感謝fa大 nanoimprint我聽說過 不過不知道現在發展到哪裡 相關訊息好像不多→ :未來可能還有一些其他路 EX:nanoprint
→ :用e-beam先去寫一塊及高解析度板 之後直接大量印製
如果可以做到整片wafer一次壓印 throughput 可以超級大~
→ :新製程的曝光機台一台都要6000萬美元左右 約18億台幣29F 06/03 20:37
聽說未來量產型機台 (NXE:3300) 好像高於這個價格?推 :沒想到電蝦會出現專業好文 @@!30F 06/03 20:40
※ 編輯: FTICR 來自: 140.109.55.232 (06/03 20:50)推 :nanoprinting現在是有些group用在人體電路上拉31F 06/03 20:54
→ :晶圓邏輯電路方面的應用還不成熟
→ :晶圓邏輯電路方面的應用還不成熟
推 :有看沒懂,在下文組33F 06/03 21:06
→ :根本再看半導體.....34F 06/03 21:32
推 :樓下西平說他略懂35F 06/03 21:35
推 :略懂36F 06/03 21:37
推 :塊推啊不然人家以為我看不懂37F 06/03 21:38
推 :誇攏無 只好給推 不然別人說我們不懂XDDD38F 06/03 21:40
推 :聽說推了 就有外星人讓你一點就通39F 06/03 22:18
推 :嘎了給給40F 06/03 22:22
→ :intel的14nm約為TSMC的16nmFF其實時間差不多41F 06/03 22:55
推 :真的只有略懂....42F 06/03 23:24
推 :本來想PO的 讓你先PO了43F 06/03 23:25
推 :推一個 明天再詳細看Ref44F 06/04 00:23
推 :我居然看懂是中文和英文耶!看來我還蠻強的~45F 06/04 01:13
推 :電路設計組略懂路過46F 06/04 01:14
推 :一台一E 24~32E台幣不等...47F 06/04 06:51
推 :求中文翻譯48F 06/04 07:49
推 :現在作到這種高能射線顯影不會對人體有傷害嗎...XD49F 06/04 08:33
推 :看完我也懂了 這篇就是英文字跟中文字的組合嘛(誤50F 06/04 13:23
推 :大致看得懂~不過再深下去就GG了51F 06/04 13:37
推 :好文 略懂52F 06/04 17:05
推 :GG要到16才會用FINFET 至於20黃光機台.設備弟兄保重53F 06/06 22:53
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06-03 14:37 ■ [情報] 14nm進展不順 Intel下一代Broadwell跳票
● 06-03 18:36 ■ Re: [情報] 14nm進展不順 Intel下一代Broadwell跳票
06-08 18:22 ■ Re: [情報] 14nm進展不順 Intel下一代Broadwell跳票
06-10 04:18 ■ Re: [情報] 14nm進展不順 Intel下一代Broadwell跳票
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