作者 astushi ()標題 Re: [新聞] 震撼! 特斯拉減用碳化矽時間 Sun Mar 5 19:54:50 2023
※ 引述《fastenjoe (肥勝)》之銘言:
: 內行人看門道,外行人看熱鬧,果然跟我們想的一樣,使用SiC MOSFET並聯IGBT的hybr
id
: https://technews.tw/2023/03/03/trench-sic-misfet-may-play-the-key-role-in-th
e-
: -----
: Sent from JPTT on my iPhone
這看起來像是ROHM的solution
https://myppt.cc/Q0ygm
Body diode改成SiC SBD的IGBT
看起來特性跟全SiC的MOSFET會天差地遠,但應付650V需求是比CoolMOS好一些
按照使用方式,這是OBC用的,應該不是充電樁用的吧?
https://i.imgur.com/i2eERwo.jpg
https://i.imgur.com/8MloOad.jpg
不過齁,100 kHz下效率有97%,這好像判GaN 650V用在OBC死刑了。如此效率與價格,GaN
完全沒優勢啊…
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※ 作者: astushi 2023-03-05 19:54:50
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Re: [新聞] 震撼! 特斯拉減用碳化矽
03-05 19:54 astushi
推 s844012: 講太專業,直接講對哪一家廠商有優勢1F 03/05 19:59
→ astushi: 我是不知道台廠有誰在做SiC SBD, 但做IGBT的不少,應該都有機會。不過這市場目前還很小,說因為Tesla的一個轉換會讓某些公司瞬間大賺我是覺得不至於,但要小心某些廠商一直都在佈局SiC的,未來可能不是那麼看好2F 03/05 20:03
→ astushi: 我覺得不至於,inverter還是得用SiC MOSFET。Tesla說的這個應該只限於OBC, 廠商會少吃到一塊沒錯,但不至於崩盤。要投機的話,趕快查誰有做SiC SBD, 不過我猜那個利潤很低。是我我會查Tesla的這個solution封裝找誰做的,因為SiC SBD跟IGBT並聯,勢必要解決散熱沒有全SiC好的問題,看起來Tesla是有解決這個問題才敢回去用
自回,新聞寫的是要拿來用在inverter上,這還真是黑科技了。這封裝廠或封裝IP一定發大財8F 03/05 20:19
推 MIT5566: 封裝有限制就從外部散熱模組下手啊 power mos都馬要17F 03/05 20:33
推 nangaluchen: 反正有個結論是肯定的 SiC的用量成長將低於預期
受害最深的 肯定是二三線的台廠和中國廠18F 03/05 20:33
推 enemyli: 台灣的本來就是炒個話題而已 哪有差22F 03/05 20:36
噓 JessVeron: 現在sic比重那麼低 對廠商哪有差 ~24F 03/05 20:44
→ astushi: 就我所知台灣要做SiC因為沒磊晶技術,所以利潤硬是比國外低很多。那個磊晶太難了,不是買一樣的爐子就能做到,要改機。台灣要追上恐怕短時間內難
回Jess大,我也是這樣覺得,在台灣這個領域市場才剛開始,很小。25F 03/05 20:49
推 Shepherd1987: IGBT頻率上不去, GaN + SiC摻在一起做撒尿牛丸才是正解31F 03/05 20:55
推 towe77: 第一行不就寫ROHM了 不然去報虎門的那些課直接看33F 03/05 21:59
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