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作者 pl132 (pl132)
標題 [新聞]突破 300 層門檻！SK 海力士宣布量產 321
時間 Thu Nov 21 12:45:24 2024

突破 300 層門檻！SK 海力士宣布量產 321 層堆疊 NAND Flash

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突破 300 層門檻！SK 海力士量產 321 層堆疊 NAND Flash | TechNews 科技新報
[圖]
韓國記憶體大廠 SK 海力士今日宣布，量產全球最高 321 層堆疊 1Tb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體。 SK 海力士表示，2023 年 6 月量產上代 238 層堆疊 NAND Flash 後，現又先推出超過 300 層堆疊的 NAND Flash，突破界線。SK 海力士計劃  ...

 

韓國記憶體大廠 SK 海力士於 21 日宣布，開始量產全球最高的 321 層堆疊 1Tb TLC
4D NAND Flash 快閃記憶體。

SK 海力士表示，從 2023 年 6 月量產當前最高的上一代 238 層堆疊 NAND Flash 快閃
記憶體，並供應於市場之後，現在又率先推出了超過 300 層堆疊的 NAND Flash 快閃記
憶體，突破了技術界限。SK 海力士計劃從 2025 年上半年起，開始向客戶提供 321 層堆
疊的產品，以此因應市場的需求。


SK 海力士強調，在此次產品開發過程中採用了高生產效率的 3-Plug 製程技術，克服了
堆疊局限。該技術分三次進行通孔製程，隨後經過優化的後續工程，將 3 個通孔進行電
氣連接。在其過程中開發出了低變形的材料，並引進了通孔間自動排列（alignment）矯
正技術。


另外，技術團隊也將上一代 238 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體的開發平台，應用於
 321 層堆疊的產品上，由此最大限度地減少了製程的變化。與上一代產品相較，其生產
效率提升了 59%。還有，此次 321 層堆疊的產品與上一代產品相較，數據傳輸速度和讀
取性能分別提高了 12%、13%，並且數據讀取能效也提高 10% 以上。SK 海力士接下來將
以 321 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，積極因應針對 AI 低功耗、高性能的新市場，
並逐漸擴大其應用範圍。


SK 海力士 NAND Flash 快閃記憶體開發副社長崔正達表示，公司率先投入 300 層堆疊以
上的 NAND Flash 快閃記憶體量產，在攻佔用於 AI 資料中心的固態硬碟、邊緣 AI 等針
對 AI 的記憶體市場方面占有有利地位。未來，公司將不僅在 HBM 為代表的 DRAM，在

 NAND Flash 快閃記憶體領域也具備超高性能記憶體產品組合，將躍升為全方位面向 AI
的記憶體供應商。

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 180.177.1.107 (臺灣)
※ 作者: pl132 2024-11-21 12:45:24
※ 文章代碼(AID): #1dFhhcC- (Tech_Job)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1732164326.A.33E.html
噓 sqt: 韓國到底知不知道重點要報告出 良率% 是多少？1F 11/21 12:50
→ physicsdk: 還好吧 愛拿幾層來嘴光光更兇 然後市佔率還是被海力士按在地上摩擦2F 11/21 12:52
→ yunf: 等到哪一天A I會設計你就知道他直接拉到物理極限4F 11/21 13:33
→ godwarder: 就當初長江第一個跳出來說量產232震驚世界
之後就變成層數競賽了5F 11/21 13:52
推 physicsdk: 等到有天GG可以靠AI顧機台 確保製程高良率 乖乖都可以拿去丟 再來說7F 11/21 14:27
→ gw00086: AI也要放乖乖ㄚ9F 11/21 14:32
→ physicsdk: 好啊 標準先放低一點 AI放乖乖 做到不用人力輪班顧機台 良率能做到一樣 就給過XD10F 11/21 14:33
→ samm3320: 轉3D本來就拼層數，從48層就開始拼了12F 11/21 14:57
→ daleptt: AI覺醒 變得會挑乖乖的口味13F 11/21 15:02
→ nick0506: 最會發paper的小旺宏去到幾層了？18層到了沒？14F 11/21 15:39
推 cht12341234: 記憶體無法縮小了15F 11/21 17:40

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