全球客製化記憶體解決方案設計公司愛普*（6531 ）今日宣布，新一代矽電容（S-SiCapT
M, Stack Silicon Capacitor） Gen3已通過客戶驗證，此產品具備超高電容密度及超薄
（<100um薄度）等優勢，可在先進封裝製程中與系統單晶片（SoC）進行彈性客製化整合
，滿足客戶在高階手機及高效能運算（HPC）晶片的應用需求。

愛普*表示，該公司的S-SiCapTM使用先進的堆疊式電容技術（Stack Capacitor）開發，
相比傳統深溝式電容技術（Deep Trench Capacitor）的電容密度更高、體積更小更薄，
且具有極佳的溫度與電壓穩定性。S-SiCapTM Gen3的電容值密度可達2.5uF/mm2，操作電
壓最高可支援1.2V，同時具有相當低的等效串聯電感（Equivalent Series Inductance）
及等效串聯電阻（Equivalent Series Resistance），在高頻操作下能提供優異的穩壓能
力。