---

原文標題：
SRAM密度較高下 美科技網站：台積電N2遠勝英特爾18A

原文連結：
https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4884370

發布時間：
2024/12/05 06:20

記者署名：
編譯魏國金／台北報導

原文內容：

美國科技網站Tom's Hardware報導，台積電的2奈米（N2）製程在靜態隨機存取記憶體（
SRAM）的密度上優於英特爾的1.8奈米（18A）製程。根據2025國際固態電路研討會（
2025 ISSCC）先進計畫，英特爾的18A SRAM密度大幅低於台積電的N2，較接近台積電的3
奈米（N3），不過，相較台積電的N2，英特爾的18A可能仍有其他重要優勢。


38 Mb/mm^2。

18A與N2都依賴環繞式閘極（GAA）電晶體，但有別於英特爾，台積電成功縮小其高密度
SRAM位單元尺寸。不過應該注意的是，除了SRAM的位單元大小外，SRAM的一個關鍵特性是
其功耗，目前並不真正知道在此指標上，18A與N2如何比較。




心得/評論：
intel一直聲稱18A在2025量產
並且目前進度一切順利
預期新CEO上台會有一波拉升
希望是台灣人，如果是印度....
當然除了製造方面，設計似乎也有問題
這都是要考慮進去的

--
「我看不到」
「欸 我真的看不到」
「                 」
「我還是什麼都看不到啊...」
「我看不到我看不到我看不到!」

--
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.233.82.151 (臺灣)
※ 作者: hugh509 2024-12-05 08:25:06
※ 文章代碼(AID): #1dKFBbL0 (Stock)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Stock/M.1733358309.A.540.html