〔財經頻道／綜合報導〕摩根士丹利（Morgan Stanley，大摩）報告表示，近期NAND（儲
存型快閃記憶體）供應中斷正在支持上半年NAND定價，群聯（8299）毛利率預計將提升；
中國長鑫存儲將在第2季提供17奈米DRAM（動態隨機存取記憶體）樣品，可能對南亞科（
2408）、力積電（6770）、華邦電（2344）等台灣DRAM廠帶來負面影響。

美國威騰電子（Western Digital）與製造夥伴、日本晶片製造商鎧俠（Kioxia）晶圓廠
日前證實製造過程中使用的材料受污染，正影響其位於日本四日市（Yokkaichi）和北上
（Kitakami）2座工廠的生產。這為NAND廠商在今年上半年創造更好的定價環境。

DRAMexchange數據顯示，第2季NAND價格可能會反彈5到10％，原先預期單季跌5-10％。大
摩認為，群聯會是主要受益者，因為該公司計畫將組件價格提高15％，毛利率可能在上半
年恢復到30％。

大摩觀察發現，長鑫存儲17奈米良率已達40％，預計將在第2季向客戶提供DDR4產品。今
年長鑫存儲合肥廠產能可能會擴大到8萬，並在北京建新廠，用於未來的17奈米製程。大
摩表示，相較於台灣的DRAM廠南亞科（20奈米）、力積電（25奈米）和華邦電，長鑫存儲
17奈米製程應有更好的成本結構。北京兆易創新（GigaDevice）也開始銷售19奈米DRAM產
品，由長鑫存儲代工。另一方面，紫光則叫停旗下DRAM計畫。

報告預估，訂單積壓刷新可能將NOR Flash（編碼型快閃記憶體）定價穩定性延長到第2季
。由於3D NAND更好的定價，相關股票情緒轉為正向。但大摩認為，下半年價格進一步上
漲的可能性較低，對旺宏（2337）、華邦電（2344）持保守態度。大摩認為所有NOR供應
商利潤前景將在上半年維持穩定，或小幅上升，這主要反映在價格上。在庫存增加的情況
下，大摩擔心下半年的次季節性需求前景。