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※ 本文轉寄自 ptt.cc 更新時間: 2021-05-06 20:27:34
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作者 madeinheaven ()
標題 [新聞] 里程碑！IBM宣佈造出全球首顆2nm EUV芯片
時間 Thu May  6 20:01:53 2021



原文標題：
里程碑！IBM宣佈造出全球首顆2nm EUV芯片
                                      (請勿刪減原文標題)  
原文連結：
https://news.mydrivers.com/1/755/755094.htm
                                      (請善用縮網址工具)
發布時間：
2021-05-06 18:42:25
                                      (請以原文網頁/報紙之發布時間為準)


原文內容：

藍色巨人出手就是王炸。

5月6日消息，IBM宣佈造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。

核心指標方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管
）為333.33，幾乎是台積電5nm的兩倍，也比外界預估台積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要
高。


https://i.imgur.com/gs5Su5y.jpg
[圖]
2nm晶圓近照

換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內，就能容納500億顆晶體管。

同時，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少
75%的功耗。

https://i.imgur.com/Kns1Lhd.png
[圖]

實際上，IBM此前也是率先造出7nm（2015年）和5nm（2017年）芯片的廠商，在電壓等指
標的定義上很早就拿下主導權。

回到此次的2nm上，採用的是GAA（環繞柵極晶體管）技術，三層。IBM介紹，這是第一次
使用底介電隔離通道，它可以實現12 nm的柵長，其內部間隔是第二代干法設計，有助於
納米片的開發。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。


需要注意的是，IBM並沒有自己的晶圓廠，2014年其製造工廠賣給了格芯，但兩者簽署了
10年合作協議，另外，IBM也和三星、Intel保持合作。

關於GAA晶體管技術，三星3nm、Intel 5nm以及台積電2nm均將首次採用。

https://i.imgur.com/jpbeoSg.png
[圖]

心得/評論：                             ※必需填寫滿20字

https://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Read.aspx?PostID=15592
市場報導 ： 三星電子3奈米GAA製程2021年量產 - 科技產業資訊室(iKnow)
[圖]
根據三星所揭露資料，GAAFET（Gate-All-Around）工藝節點是由三星與IBM合作開發的。與傳統的FinFET設計相反，GAAFET允許柵極材料從所有側面圍繞通道。三星聲稱MBCFET(GAAFET商標名稱)的設計將改善晶片製程的開關行為，並允許處理器將工作電壓降至0.75V以下。 ...

 

根據上面這篇三星的3nm GAA技術是跟IBM合作

所以這篇的2nm GAA應該也是跟三星合作

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推 qa1122z     : 要能大量便宜生產啊幹4F 05/06 20:03
推 piyieen     : 崩崩5F 05/06 20:03
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