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作者 標題 [新聞] 力拚台積電,三星宣布 3 奈米 GAA 成功
時間 Tue Jun 29 20:09:32 2021
力拚台積電,三星宣布 3 奈米 GAA 成功流片
https://technews.tw/2021/06/29/samsung-announces-3nm-gaa-tape-out/
力拚台積電,三星宣布 3 奈米 GAA 成功流片 | TechNews 科技新報
技術論壇時台積電強調 3 奈米製程將照時程於 2022 下半年正式量產,競爭對手南韓三星日前也表示,採用 GAA 架構的 3 奈米製程技術正式流片(Tape Out),對全球只有這兩家能做到 5 奈米製程以下的半導體晶圓代工廠來說,較勁意味濃厚。 外媒報導,三星 3 奈米製程流片進度是與新思科... ...
技術論壇時台積電強調 3 奈米製程將照時程於 2022 下半年正式量產,競爭對手南韓三星日前也表示,採用 GAA 架構的 3 奈米製程技術正式流片(Tape Out),對全球只有這兩家能做到 5 奈米製程以下的半導體晶圓代工廠來說,較勁意味濃厚。 外媒報導,三星 3 奈米製程流片進度是與新思科... ...
2021.06.29 科技新報
技術論壇時台積電強調 3 奈米製程將照時程於 2022 下半年正式量產,競爭對手南韓三
星日前也表示,採用 GAA 架構的 3 奈米製程技術正式流片 (Tape Out),對全球只有這
兩家能做到 5 奈米製程以下的半導體晶圓代工廠來說,較勁意味濃厚。
星日前也表示,採用 GAA 架構的 3 奈米製程技術正式流片 (Tape Out),對全球只有這
兩家能做到 5 奈米製程以下的半導體晶圓代工廠來說,較勁意味濃厚。
外媒報導,三星 3 奈米製程流片進度是與新思科技 (Synopsys) 合作,加速為 GAA 架
構的生產流程提供高度優化參考方法。因三星 3 奈米製程不同於台積電或英特爾的 Fi
nFET 架構,而是 GAA 架構,三星需要新設計和認證工具,因此採用新思科技的 Fusio
n Design Platform。製程技術的物理設計套件 (PDK) 已在 2019 年 5 月發表,並 20
20 年通過製程技術認證。預計此流程使三星 3 奈米 GAA 結構製程技術用於高性能運算
(HPC)、5G、行動和高階人工智慧 (AI) 應用晶片生產。
三星代工設計技術團隊副總裁 Sangyun Kim 表示,三星代工是推動下一階段產業創新的
核心。三星將藉由不斷發展技術製程,滿足專業和廣泛市場增長的需求。三星電子最新
且先進的 3 奈米 GAA 製程技術,受惠於與新思科技合作,Fusion Design Platform 加
速準備,有效達成 3 奈米製程技術承諾,證明關鍵聯盟的重要性和優點。
核心。三星將藉由不斷發展技術製程,滿足專業和廣泛市場增長的需求。三星電子最新
且先進的 3 奈米 GAA 製程技術,受惠於與新思科技合作,Fusion Design Platform 加
速準備,有效達成 3 奈米製程技術承諾,證明關鍵聯盟的重要性和優點。
新思科技數位設計部總經理 Shankar Krishnamoorthy 也表示,GAA 電晶體結構象徵著
製程技術進步的關鍵轉捩點,對保持下一波超大規模創新所需的策略至關重要。新思科
技與三星戰略合作支持提供一流技術和解決方案,確保發展趨勢延續,以及為半導體產
業提供機會。
製程技術進步的關鍵轉捩點,對保持下一波超大規模創新所需的策略至關重要。新思科
技與三星戰略合作支持提供一流技術和解決方案,確保發展趨勢延續,以及為半導體產
業提供機會。
GAA (Gate-all-around ) 架構是周邊環繞著 Gate 的 FinFET 架構。照專家觀點,GAA
架構的電晶體提供比 FinFET 更好的靜電特性,可滿足某些柵極寬度的需求。這主要表
現在同等尺寸結構下,GAA 的溝道控制能力強化,尺寸進一步微縮更有可能性。相較傳
統 FinFET 溝道僅 3 面被柵極包覆,GAA 若以奈米線溝道設計為例,溝道整個外輪廓都
被柵極完全包裹,代表柵極對溝道的控制性更好。
架構的電晶體提供比 FinFET 更好的靜電特性,可滿足某些柵極寬度的需求。這主要表
現在同等尺寸結構下,GAA 的溝道控制能力強化,尺寸進一步微縮更有可能性。相較傳
統 FinFET 溝道僅 3 面被柵極包覆,GAA 若以奈米線溝道設計為例,溝道整個外輪廓都
被柵極完全包裹,代表柵極對溝道的控制性更好。
3 奈米 GAA 製程技術有兩種架構,就是 3GAAE 和 3GAAP。這是兩款以奈米片的結構設
計,鰭中有多個橫向帶狀線。這種奈米片設計已被研究機構 IMEC 當作 FinFET 架構後
續產品進行大量研究,並由 IBM 與三星和格羅方德合作發展。三星指出,此技術具高度
可製造性,因利用約 90% FinFET 製造技術與設備,只需少量修改的光罩即可。另出色
的柵極可控性,比三星原本 FinFET 技術高 31%,且奈米片通道寬度可直接圖像化改變
,設計更有靈活性。
計,鰭中有多個橫向帶狀線。這種奈米片設計已被研究機構 IMEC 當作 FinFET 架構後
續產品進行大量研究,並由 IBM 與三星和格羅方德合作發展。三星指出,此技術具高度
可製造性,因利用約 90% FinFET 製造技術與設備,只需少量修改的光罩即可。另出色
的柵極可控性,比三星原本 FinFET 技術高 31%,且奈米片通道寬度可直接圖像化改變
,設計更有靈活性。
對台積電而言,GAAFET (Gate-all-around FETs ) 仍是未來發展路線。N3 技術節點,
尤其可能是 N2 節點使用 GAA 架構。目前正進行先進材料和電晶體結構的先導研究模式
,另先進 CMOS 研究,台積電 3 奈米和 2 奈米 CMOS 節點順利進行中。台積電還加強
先導性研發工作,重點放在 2 奈米以外節點,以及 3D 電晶體、新記憶體、low-R int
erconnect 等領域,有望為許多技術平台奠定生產基礎。台積電正在擴大 Fab 12 的研
發能力,目前 Fab 12 正在研究開發 N3、N2 甚至更高階製程節點。
尤其可能是 N2 節點使用 GAA 架構。目前正進行先進材料和電晶體結構的先導研究模式
,另先進 CMOS 研究,台積電 3 奈米和 2 奈米 CMOS 節點順利進行中。台積電還加強
先導性研發工作,重點放在 2 奈米以外節點,以及 3D 電晶體、新記憶體、low-R int
erconnect 等領域,有望為許多技術平台奠定生產基礎。台積電正在擴大 Fab 12 的研
發能力,目前 Fab 12 正在研究開發 N3、N2 甚至更高階製程節點。
心得:三星流片了? GAA經驗值++++
我記得他們N3電晶體密度大概等於台積電的N5,至於良率就到時再看了
GG用5奈米finfat去硬扛三星3奈米GAA,這也太過份了
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推 : 明天gg跌停1F 06/29 20:10
噓 : 無碼流出2F 06/29 20:10
※ 編輯: saygogo (1.200.120.31 臺灣), 06/29/2021 20:11:01→ : GG明明就輕鬆扛....XD3F 06/29 20:11
推 : 三星彎道超車幾次了4F 06/29 20:11
推 : 難怪台積電今天大漲,原來三星又做垃圾出來了5F 06/29 20:11
推 : 領先20年?6F 06/29 20:12
推 : 三星彎道超車7F 06/29 20:12
推 : 又在唬爛了 笑死8F 06/29 20:13
噓 : 完了,gg要爛掉了9F 06/29 20:13
推 : 明天漲停10F 06/29 20:13
推 : 笑死 正式量產再說11F 06/29 20:13
→ : 準備入手GG12F 06/29 20:13
→ Gavatzky …
推 : 台積缺電又沒疫苗可以打 好可憐15F 06/29 20:16
→ Gavatzky …
→ : GG:你用了GAA!?17F 06/29 20:16
→ : 888超神 掰掰掰18F 06/29 20:17
推 : 韓國人說的話要打5折19F 06/29 20:17
噓 : 太棒了繼續出產垃圾 浪費三星的錢20F 06/29 20:20
推 : 看看精美的高通88821F 06/29 20:21
推 : 丸子,明天GG準備跌停22F 06/29 20:21
噓 : 5奈到底有沒有訂單啦,笑死23F 06/29 20:21
→ Gavatzky …
→ : 三星5奈米量產了沒啊25F 06/29 20:24
→ : 888一月初到現在股價應該暴漲了吧(咦26F 06/29 20:25
推 : 成功的良率定義為: ?27F 06/29 20:25
推 : 這第一代3nmGAAMBC不會太強,等3LPP出來再觀察28F 06/29 20:26
→ : 韓國自己都說贏不了GG 結果台灣人一直喊GG輸三星29F 06/29 20:26
推 : 台積電慘了30F 06/29 20:27
→ : 丸子 蒸的丸子!!!31F 06/29 20:27
→ : 888要發展挖礦才對32F 06/29 20:28
推 : 三星5奈米早量產了 只是他的良率沒2330高33F 06/29 20:28
→ : 但由於太便宜了 所以大家也是在搶產能
→ : 導致三星的5是滿的 只是三星的5約等於台積電的6
→ : 但由於太便宜了 所以大家也是在搶產能
→ : 導致三星的5是滿的 只是三星的5約等於台積電的6
→ Gavatzky …
→ : 三星的3LPE有機會在明年Q3量產37F 06/29 20:28
→ : 基本上 三星靠QCOM NVDA部分產品的轉單38F 06/29 20:29
→ : 他產能就滿到不行了 且他還有自己的單要做
→ : 他產能就滿到不行了 且他還有自己的單要做
推 : GG真的沒救了,面板化 應該永遠都不可能突破600了40F 06/29 20:29
推 : 這代表GG也做得出來41F 06/29 20:29
→ : 三星的3這樣看 22Q2有機會量產42F 06/29 20:30
→ : 他的3大概是2330的4 所以三星仍是落後一年
→ : 他的3大概是2330的4 所以三星仍是落後一年
→ : GG都在2奈米了,三星還在三奈米?44F 06/29 20:30
→ : 所以是用便宜製程賺的錢進貢給GG才能打下一局(X45F 06/29 20:31
推 : n大真看好,Q2頗拚46F 06/29 20:32
噓 : GGGG完蛋囉47F 06/29 20:32
推 : 明天往下噴 我要大撿8股48F 06/29 20:33
→ : GG的目標是把GAA做到接近600MTr/mm^2的密度49F 06/29 20:34
→ : 三星可能做到300就了不起了
→ : 三星可能做到300就了不起了
→ : 你各位的積票要求把持住啊51F 06/29 20:35
推 : 差一階 可不只差一年阿52F 06/29 20:35
推 : 利空,只好繼續買XD53F 06/29 20:35
推 : 只不過 finfet製程摩爾定律逐漸失效的問題很大54F 06/29 20:37
→ : 雖然說2330仍然是技術最領先者
→ : 但只要三星願意降價
→ : 他製程的CP值是能跟2330拼的 搞不好更好一點
→ : 雖然說2330仍然是技術最領先者
→ : 但只要三星願意降價
→ : 他製程的CP值是能跟2330拼的 搞不好更好一點
推 : 怎麼還有一個3GAE?58F 06/29 20:37
推 : 三星漏尿製程Pass59F 06/29 20:38
推 : 99Gg60F 06/29 20:38
推 : 所以你可以看到 除了QCOM61F 06/29 20:38
→ : 大家都是把最高階的單 或給伺服器的單給2330
→ : 然後把中低階 消費性電子的單給三星
→ : 大家都是把最高階的單 或給伺服器的單給2330
→ : 然後把中低階 消費性電子的單給三星
推 : 三星這次用888坑死高通了64F 06/29 20:39
→ : 所以良率高嗎65F 06/29 20:39
推 : 市場太大 GG也吃不完 三星分杯羹也行66F 06/29 20:40
→ : 台積殺手67F 06/29 20:41
推 : GG2023有個n3p68F 06/29 20:42
推 : 台積電笑而不語69F 06/29 20:43
→ : 蘋果被三星婊過一次還會再轉單喔 騙笑欸70F 06/29 20:44
推 : 三星有在追,GG被用antitrust開刀的機率應該比較低71F 06/29 20:44
推 : 2個人意思性的打一下,2個都免於反拖拉斯72F 06/29 20:46
推 : 99gg73F 06/29 20:47
噓 : 良率會有多低?74F 06/29 20:48
推 : 爽 快讓gg下去75F 06/29 20:48
推 : 新聞總是發很快 量產總是拖最慢 良率最後總是挫賽76F 06/29 20:48
推 : 樓上XD77F 06/29 20:49
噓 : 這家媒體看看就好78F 06/29 20:50
推 : 慘 明天賣出準備抄底海運79F 06/29 20:50
→ : GG 不講武德 所謂 做人留一線 日後好相見80F 06/29 20:51
推 : 完了81F 06/29 20:51
噓 : 成功tapeout, 結果良率只有10%82F 06/29 20:52
→ : 笑死 幾年前說要超車83F 06/29 20:52
推 : 台灣梭哈所有菁英的GG要被追近了嗎84F 06/29 20:52
→ : 恭喜喔,好棒棒喔,加油喔85F 06/29 20:53
噓 : GAA吃屎 喊幾年了 技術嚇死人 良率笑死人86F 06/29 20:54
噓 : 看到某人說製程沒差,笑死87F 06/29 20:55
→ Gavatzky …
噓 : 哇好可怕,那良率呢?89F 06/29 20:59
→ Gavatzky …
推 : 這個劇情似乎已經看過很多次91F 06/29 21:00
推 : 加油 總要有很強的對手才能顯示大GG的不可思議92F 06/29 21:00
→ Gavatzky …
→ : G大加油94F 06/29 21:05
推 : Gava 你現在手機用三星還蘋果,用蘋果就閉嘴==95F 06/29 21:08
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