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作者 標題 [情報] 三星發表:以 VTFET 設計實現 1nm 製程
時間 Mon Dec 20 07:55:18 2021
IBM 和 Samsung 新的電晶體技術可以突破 1nm 以下晶片
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IBM 和 Samsung 新的電晶體技術可以突破 1nm 以下晶片
IBM / SamsungIBM 和 Samsung 在美國舊金山舉行的 IEDM 國際電子元件會議上,共同發表名為 Vertical Transport Field Effect Transistors(VTFET)的新晶片設計,是把電晶體以垂直方式推疊,電流也會以垂直的方式通過,與今天通常是以水 ...
IBM / SamsungIBM 和 Samsung 在美國舊金山舉行的 IEDM 國際電子元件會議上,共同發表名為 Vertical Transport Field Effect Transistors(VTFET)的新晶片設計,是把電晶體以垂直方式推疊,電流也會以垂直的方式通過,與今天通常是以水 ...
IBM 和 Samsung 在美國舊金山舉行的 IEDM 國際電子元件會議上,共同發表名為
Vertical Transport Field Effect Transistors(VTFET)的新晶片設計,是把電晶體以
垂直方式推疊,電流也會以垂直的方式通過,與今天通常是以水平方式擺放的不一樣。但
為什麼要這樣設計呢?據指有兩個主要好處,一是個這能突破「摩爾定律」對於 1nm 晶
片設計的的瓶頸,而更重要的是提升電流並可以減少能源的消耗。
垂直方式推疊,電流也會以垂直的方式通過,與今天通常是以水平方式擺放的不一樣。但
為什麼要這樣設計呢?據指有兩個主要好處,一是個這能突破「摩爾定律」對於 1nm 晶
片設計的的瓶頸,而更重要的是提升電流並可以減少能源的消耗。
據計算,VTFET 在與 FinFET 電晶體設計相比,能把處理器速度提升兩倍,但同時能耗就
減少了 85%。以實用性來說,手機的續航力會最終延長至充一次、使用一週!甚至如果用
於挖礦 cryptomining 的用途,就能大大減少區塊鍊、加密貨幣等技術對環境的影響。
減少了 85%。以實用性來說,手機的續航力會最終延長至充一次、使用一週!甚至如果用
於挖礦 cryptomining 的用途,就能大大減少區塊鍊、加密貨幣等技術對環境的影響。
不過這次 IBM 和 Samsung 並沒有透露什麼時候會以商用產品上應用 VTFET,只是市場上
才不只有他們擁有突破 1nm 的技術,因為 Intel 在 7 月的時候就表示已經完成設計,
同時更目標在 2024 年就開始推出「埃」時代的晶片。
才不只有他們擁有突破 1nm 的技術,因為 Intel 在 7 月的時候就表示已經完成設計,
同時更目標在 2024 年就開始推出「埃」時代的晶片。
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.160.21.92 (臺灣)
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※ 編輯: giorno78 (1.160.21.92 臺灣), 12/20/2021 07:57:09
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→ Anderson0819 …
→ : 理論跟出實驗室是兩回事2F 39.12.195.44 台灣 12/20 08:17
→ : IBM的技術欸 穩了3F 223.136.133.210 台灣 12/20 08:17
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→ : 先成功?
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→ : p
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→ : 喔26F 111.246.186.82 台灣 12/20 10:04
噓 : 使用一週? 聽記者在屁 螢幕不用吃27F 42.73.185.193 台灣 12/20 10:15
→ : 電?
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→ : 好的,讓我們繼續關注天璣900029F 114.41.134.224 台灣 12/20 10:21
→ : 那,甚麼時候不會漏尿呢30F 49.216.25.135 台灣 12/20 10:23
推 : PPT做得不錯31F 61.58.109.90 台灣 12/20 10:36
噓 : 漏尿製程 -.-32F 123.51.162.52 台灣 12/20 10:37
→ : 相信GG Sieg G翁!Sieg G翁!Sieg G翁
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推 : 然後良率掉多少XD34F 42.73.151.169 台灣 12/20 10:53
噓 : 笑死 漏電多少不敢講35F 220.135.132.105 台灣 12/20 11:19
推 : GG嚇到再買幾桶爆米花回來吃36F 60.251.123.162 台灣 12/20 11:20
→ : ibm的,穩了37F 223.137.214.203 台灣 12/20 11:43
推 : 所以良率多少?38F 118.160.137.101 台灣 12/20 11:43
→ : IBM穩了,合法的專利蟑螂
→ : 一個完成設計,一個寫完PPT
→ : 製造不出來、良率一蹋糊塗
→ : 跟政客一樣,畫餅。完成時間都訂在
→ : 下一任
→ : 成功是我的,失敗是下一任的
→ : IBM穩了,合法的專利蟑螂
→ : 一個完成設計,一個寫完PPT
→ : 製造不出來、良率一蹋糊塗
→ : 跟政客一樣,畫餅。完成時間都訂在
→ : 下一任
→ : 成功是我的,失敗是下一任的
推 : TFET 哈哈哈哈哈45F 42.73.54.234 台灣 12/20 11:56
推 : IBM SOI製程那時候好像也不好吧46F 223.137.84.143 台灣 12/20 12:01
推 : 理論上 TFET功耗低 SS低 但是Ion也47F 42.73.54.234 台灣 12/20 12:01
→ : 很低啊 而且量產是一大問題
→ : 很低啊 而且量產是一大問題
推 : 三星跟IBM的結合體,用的人八字要49F 39.8.167.181 台灣 12/20 12:14
→ : 夠硬阿
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→ : 沒有二代euv就沒有3奈米finfet51F 101.9.175.1 台灣 12/20 12:33
→ : 三星真的很會
→ : 一下子gaa 一下子vxx
→ : 三星真的很會
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推 : 就跟電池科技一樣 每年都一堆突破54F 2.58.241.44 台灣 12/20 12:34
→ : 性研發 至今走入商業的一個也沒
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→ : 廠商會把電池做小做薄 一樣一天一沖56F 49.216.229.58 台灣 12/20 12:43
推 : 所以說那個熱量呢57F 58.115.155.145 台灣 12/20 12:51
推 : 垂直版的GAA58F 1.200.43.226 台灣 12/20 13:28
推 : 做得出來天網就要上線開始屠殺了..59F 111.251.183.89 台灣 12/20 14:00
→ : .
→ : .
推 : 問題在檢測,GAA用現行的多重電子束61F 106.104.73.224 台灣 12/20 14:40
→ : 就很難檢測瑕疵,垂直的一定更難,
→ : 給封測造成麻煩
→ : 就很難檢測瑕疵,垂直的一定更難,
→ : 給封測造成麻煩
→ : 三星藍色巨人,你各位不要太囂張64F 42.77.215.201 台灣 12/20 15:09
噓 : 他只是改成水平的 沒什麼特別的65F 27.53.155.207 台灣 12/20 15:11
推 : VTFET那麼厲害直接拿到5nm做就好啦66F 122.116.206.101 台灣 12/20 15:27
→ : 看看就好,同樣是4nm工藝GG的天璣9067F 27.53.137.87 台灣 12/20 15:35
→ : 00打爆三星的8G1,還能對三星工藝有
→ : 什麼期待呢?
→ : 00打爆三星的8G1,還能對三星工藝有
→ : 什麼期待呢?
→ : GG看到這組合 心裡os應該是覺得穩了70F 118.163.167.82 台灣 12/20 15:42
→ : 放著給他自爆就夠了
→ : 放著給他自爆就夠了
→ : ***的4nm就7nm改的 想毀天滅地?72F 36.234.17.120 台灣 12/20 15:48
→ : 說個笑話,CELL (IBM的東西看看就好73F 27.52.195.152 台灣 12/20 16:45
→ : 看看就好,真的實用化再說)
→ : 看看就好,真的實用化再說)
→ : ***把升級點數都點吹牛的 看看就好75F 111.248.80.106 台灣 12/20 16:46
推 : IBM點數點在實驗室做得出卻無法量產76F 220.132.210.127 台灣 12/20 17:37
→ : 三星點在吹製程做得出量產卻沒良率
→ : 兩個天作之合
→ : 三星點在吹製程做得出量產卻沒良率
→ : 兩個天作之合
噓 : 哈哈南朝鮮79F 223.140.174.130 台灣 12/20 18:00
推 : 5做不好要做1 聽起來就很幹話80F 114.136.184.200 台灣 12/20 18:43
推 : 語畢,哄堂大笑81F 114.34.72.179 台灣 12/20 18:47
推 : 這不就老東西了...不管三星或台積82F 111.243.106.248 台灣 12/20 19:14
→ : 能穩定良率量產出來的東西才是真
→ : 能穩定良率量產出來的東西才是真
→ : 只剩下話大餅的功力了84F 27.247.5.94 台灣 12/20 19:47
推 : 水喔,能量產再來說好嗎85F 114.169.198.171 日本 12/20 20:36
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