8 月 9 日是中國半導體產業極具里程碑的日子，這天，禁錮數十年的高端生產技術被中芯國際一紙財報公開書文末，「14 納米 FinFET 技術已導入客戶」短短几行字給徹底解放，正式宣示中芯 14 納米製程研發成功，這也是中國目前最高端的晶元製造工藝技術的正式落地。

而這一天，是中芯聯合首席執行官梁孟松加入中芯後第 298 天。而中芯口中這位神秘的「客戶」，業界推測，中國第一大 IC 設計公司海思半導體的呼聲極高。

對比台積電、三星電子今年進入 7 納米技術肉搏戰，中芯國際從 28 納米走到 14 納米 FinFET 技術節點的進展看似是順水行舟，但這一步也走了許多年，直到 2017 年 10 月 16 日延攬前三星、台積電研發高層梁孟松加入，中國的高端技術工藝突破口才曙光乍現。

中芯國際在 8 月 9 日發布最新一季度財務報告明確宣布，14 納米 FinFET 技術獲得重大進展，第一代 14 納米 FinFET 技術已經進入客戶導入生產階段，而在 28 納米工藝節點上，除了 PolySiON 技術和 HKC 技術外，28 納米 HKC + 技術也完成開發，同時 HKC 技術持續上量且良率顯著提升。

雖然中芯國際沒有透露這位「客戶」的身份，但根據行業內人士判斷，第一個捧場中芯 14 納米 FinFET 技術的客戶由海思出線的機率極高，另外，也傳出高通和博通兩大 IC 設計公司也是中芯亟欲網羅進入「14 納米家族」的兩大目標群。

中芯國際成功研發 14 納米並進入生產後，將成為中國自主研發的最高端工藝技術，追平台積電位於南京採用 16 納米 FinFET 技術生產的 12 寸廠。再者，以全球半導體技術陣營的角度來看，中芯在 14 納米 FinFET 技術上的成功，將會開始用力追趕聯電，給對方不小壓力，加上聯電也計划到上海 A 股進行上市，未來彼此交鋒的機率只會多、不會少。

2015 年時，中芯國際曾與高通、比利時微電子 imec 合作開發 14 納米技術工藝，計劃以跨國合作的方式來打造中國最先進的集成電路研發平台，不過，這樣的合作模式並沒有成功，直到網羅梁孟松加入中芯後，成為突破中國半導體製造技術藩籬的關鍵轉折。