高通於美國時間 11 月 10 日在紐約正式發表 Qualcomm Snapdragon 820 高階 SoC，而這款全新的旗艦級產品也確定將由三星代工，並且採用 14 奈米 FinFET LPP 製程技術，整體功耗相較上一代 Snapdragon 810 下降約 30%，其終端裝置預計 2016 年第一季才會問世；目前確定採用 Snapdragon 820 的裝置也已經超過 60 款，預期將有不少品牌業者採用，未來也會持續增加，而這款高階 SoC 勢必也將在明年手機市場扮演相當重要的角色。

Qualcomm Snapdragon 820 除了採用 14nm FinFET LPP 製程技術，也將導入全新 64bit Kryo 自主架構，使用四核心設計，每個核心最高可達 2.2GHz 時脈，同時搭載 Adreno 530 GPU、14bit Spectra ISP、Hexagon 680 DSP，以及 X12 LTE 數據機，並且支援 Cat.12 / 13、MU-MIMO、Wi-Fi 802.11ad 與 Quick Charge 3.0 快速充電技術。此外，Snapdragon 820 還將透過加入 Zeroth 認知平台藉由異質運算完成各種感知計算，並且利用 Smart Protect 技術，進一步保護個人隱私和終端安全。