三星電子3月11日發布稱“公司在全球率先啓動了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產工作”。1
納米等於十億分之一米，20納米僅相當於頭發絲粗細的2500分之一，20納米DRAM就是用如
此纖細的銅線製作的半導體。三星電子Nand閃存部門從2012年開始量產10納米半導體，但
由於DRAM結構復雜，而且需要高速運轉，始終無法突破25納米的技術瓶頸。 　

具備20納米DRAM量產係統之後，生產成本有望大幅下降。20納米DRAM的生產效率將比25納
米高出30%以上，比30納米級DRAM的效率高出一倍。因為DRAM芯片通過切割大小相同的晶
圓製造而成，線的直徑越小，芯片就越小，同樣的材料和時間就能製作出更多芯片。

更大的優點在於節省用電，電路越纖細，所耗電力越少，20納米DRAM的耗電量可以比25納
米DRAM減少25%左右。三星電子存儲芯片事業部戰略營銷組長（副社長）全永鉉說“將低
耗電的20納米DRAM用到電池容量有限的智能手機或平板電腦上，可以提高設備效率”，“
由於售價相對較高，利潤空間也相對較大”。 　

成功利用原有設備量產新產品，也是20納米DRAM的一大特徵。如果要開發新的微細工藝，
置辦一係列生產設備，需要投入數千億韓元乃至數萬億韓元資金。但三星電子通過獨家改
良勾畫半導體線路的光刻技術，找到了可以有效利用原有設備的道路。全副社長強調“這
次研究還為量產10納米級DRAM打下了技術基礎”。

DRAM eXchange”公司消息稱，三星電子去年在全球DRAM市場的份額為36.7%，在Nand閃存
市場的份額為38.4%，在存儲芯片市場穩固占據著第一的位置。在存儲芯片市場，SK海力
士與美國美光正奮力追擊三星電子。截止2000年代末，DRAM市場還是韓國幾家企業、日本
爾必達、德國奇夢達、美國美光、台灣南亞與力晶等共同角逐的舞台，奇夢達和力晶等企
業因為用低於成本價的價格進行“出血競爭”，最終與2010年前後宣告破產。爾必達也在
去年破產，拿下掛了13年的店招，改名為美光日本。 　

業界認為，量產20納米級DRAM將使三星進一步強化行業主導權。包括爾必達工廠在內，美
光去年第四季度20納米生產工程的比重也只占整體的21%，大幅落後於三星電子（68%）和
SK海力士（63%），差距在兩年以上。產業研究院研究委員朱大永（音）分析稱“相較於
已經停滯的電腦市場，量產的20納米DRAM將主攻成長勢頭強勁的手機設備市場，以此為中
心提高三星的競爭力”，“隨著移動設備市場的擴大，三星電子半導體部門的業績也會大
幅上升”。