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作者 標題 [情報] Intel/Micron推 3D Xpoint 記憶體革命
時間 Wed Jul 29 18:19:41 2015
原網址：http://goo.gl/ZSiYGR
英特爾、美光推 3D XPoint 要掀記憶體革命，將可同時取代 DRAM 與 NAND | TechNews 科技新報
![[圖]]()
記憶體的重大突破出現！7 月 29 日美光與英特爾共同發表新型非揮發性記憶體晶片 3D XPoint，且可同時取代 DRAM 與 NAND 在運算端的需求，據官方發表的資訊，速度將可提升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度將比 DRAM 高出 10 倍，處理器與資料之間的延遲將可被降低... ...
![[圖]](http://img.technews.tw/wp-content/uploads/2015/07/3D-XPoint-0729-.jpg)
記憶體的重大突破出現！7 月 29 日美光與英特爾共同發表新型非揮發性記憶體晶片
3D XPoint，且可同時取代 DRAM 與 NAND 在運算端的需求，據官方發表的資訊，速度將
可提升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度將比 DRAM 高出 10 倍，處理器與資料之間的
延遲將可被降低，當分析速度加快，也開啟了更大的運用範疇，機器學習、即時追蹤疾病
以及超擬真 8K 遊戲等在未來都將成為可能。
3D XPoint，且可同時取代 DRAM 與 NAND 在運算端的需求，據官方發表的資訊，速度將
可提升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度將比 DRAM 高出 10 倍，處理器與資料之間的
延遲將可被降低，當分析速度加快，也開啟了更大的運用範疇，機器學習、即時追蹤疾病
以及超擬真 8K 遊戲等在未來都將成為可能。
半導體產業每隔幾年總有新型記憶體技術發表，諸如惠普、IBM、還有飛思卡爾等都
嘗試過創造要比現有技術更快、密度更高、成本更低廉或各種條件權衡之下的替代品，但
大多都因為昂貴、易碎等因素難以取代主流技術。
嘗試過創造要比現有技術更快、密度更高、成本更低廉或各種條件權衡之下的替代品，但
大多都因為昂貴、易碎等因素難以取代主流技術。
英特爾與美光早在 2005 年即一同攜手進軍 NAND Flash 市場，7 月 29 日又再一同
發表新的 3D XPoint 非揮發性記憶體，成為挑戰者之一，且意圖做個革新者，3D
XPoint 技術意圖取代 DRAM 與 NAND Falsh 在運算端的需求，且其強調，已在成本與功
耗、效能之間取得平衡。
3D X point 為獨立在 DRAM 與 NAND 以外的全新「Non-Volatile Memory Form
Factor」，英特爾稱此為 1989 年 NAND 快閃晶片推出以來，第一個新的記憶體類別。
記憶體時代演進圖
http://img.technews.tw/wp-content/uploads/2015/07/memorytech.jpg
![[圖]](http://img.technews.tw/wp-content/uploads/2015/07/memorytech.jpg)
3D Xpoint架構圖
http://i.imgur.com/t2OwUhV.png
![[圖]](http://i.imgur.com/t2OwUhV.png)
（Source：Fortune）
其不像 DRAM，3D X point 不需要電晶體就可以執行讀寫，結構上近似現在較先進的
3D NAND 技術皆為 3D 架構，但不像 NAND 以電荷將資訊儲存於元件，而是儲存在架構
中字組線（word line）與位元線（bit line）的交叉點上，系統因此得以單獨存取每個
儲存單元，當系統能以小單位讀取與寫入資料，讀寫程序將變得更快，目前官方給的訊息
，記憶體儲存單元配置共 1,280 億個，且為可堆疊，目前初步技術堆疊至兩層、每個晶
粒能儲存 128Gb，未來將持續發展更高層的堆疊技術增加儲存容量。
3D NAND 技術皆為 3D 架構，但不像 NAND 以電荷將資訊儲存於元件，而是儲存在架構
中字組線（word line）與位元線（bit line）的交叉點上，系統因此得以單獨存取每個
儲存單元，當系統能以小單位讀取與寫入資料，讀寫程序將變得更快，目前官方給的訊息
，記憶體儲存單元配置共 1,280 億個，且為可堆疊，目前初步技術堆疊至兩層、每個晶
粒能儲存 128Gb，未來將持續發展更高層的堆疊技術增加儲存容量。
英特爾聲稱，3D X point 的密度比 DRAM 高出 10 倍，速度與耐用度比 NAND 高出
1,000 倍。先前三星推出 8Gb DDR4 DRAM，新技術的發表讓美光也放話，未來將可提供
容量高達 2TB、密度比 DRAM 高 125 倍的 DRAM 晶片。
1,000 倍。先前三星推出 8Gb DDR4 DRAM，新技術的發表讓美光也放話，未來將可提供
容量高達 2TB、密度比 DRAM 高 125 倍的 DRAM 晶片。
3D X point 基本上大幅降低了處理器與資料之間的延遲，預估未來也將有更多嶄新
的運用，拓展出機器學習、即時追蹤疾病以及超擬真 8K 遊戲等發展。
英特爾表示，3D X point 將於 2015 年稍晚送樣給特定客戶，而英特爾與美光目前
已開始著手開發包含 3D X point 技術的相關產品。記憶體儲存相關調研機構
DRAMeXchange 預估，初期 3D X point 該將先出現於高階的伺服器與商業應用端。
受到新技術發表的激勵，英特爾股價 28 日上漲了 2.15% 收在 28.96 美元、美光股
價更勁揚了 9%，來到 19.75 美元。
原文參考資料：
http://goo.gl/VUn9Fb
Intel and Micron Produce Breakthrough Memory Technology
![[圖]]()
![[圖]]()
![[圖]]()
New Class of Memory Unleashes the Performance of PCs, Data Centers and More NEWS HIGHLIGHTS Intel and Micron begin production on new class of non-volatile memory, creating the first new memory category in more than 25 years.New 3D XPoint™ technology brings non-volatile memory speeds up to 1,000 ...
![[圖]](http://i3.disp.cc/t/s/newsroom.intel.com/32675922216643a45ef384e7c0e52522.jpg)
![[圖]](http://i3.disp.cc/t/s/newsroom.intel.com/6eac96a0f92fe5f175c1db204c11a042.jpg)
![[圖]](http://i3.disp.cc/t/s/www.intel.com/9dda35ea8d6728e449966adeb28229ba.gif)
Intel, Micron reveal Xpoint, a new memory architecture that could outclass DDR4 and NAND | ExtremeTech
![[圖]]()
Intel and Micron jointly announced a new type of memory today that marries the best attributes of NAND flash and ... ...
![[圖]](http://www.extremetech.com/wp-content/uploads/2015/07/3DPointWafers.jpg)
Intel and Micron team up to launch a new class of computer memory - Fortune
![[圖]]()
Likely first customers are the data center giants like Facebook, Baidu and Microsoft. ...
![[圖]](http://i3.disp.cc/t/0/_fortunedotcom.filesuality=80_amp;w=820_amp;h=570_amp;crop=1.jpg)
備註：
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推 : hp幾年前發明了憶阻器，到現在都還沒下文....1F 07/29 18:31
推 : 這原理不就reram嗎？2F 07/29 19:09
→ : 3D reram3F 07/29 19:38
推 : 這不一樣 能提出送樣時間代表真的準備好了4F 07/29 23:22
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